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长江存储128层QLC芯片正式亮相，标志着我国芯片制造业迈上了一个新的台阶。这款芯片采用了先进的128层堆栈存储技术，使得存储密度大大提高，同时降低了制造成本。这为大容量数据存储和处理提供了更多可能性，将极大地推动云计算、人工智能等领域的发展。此次亮相显示出长江存储在芯片制造方面的技术实力和创新能力，为我国芯片产业的发展注入了新的动力。未来，这款芯片有望在各类智能设备、数据中心等领域得到广泛应用，为我国科技产业的腾飞注入新的动力。
在今天召开的中国电子信息博览会上，长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片在紫光集团展台上亮相展出。
长江存储128层QLC芯片
紫光集团旗下长江存储于今年4月份宣布成功出两款128层3D NAND 产品，分别为：容量为1.33Tb的128层QLC 3D NAND闪存和容量为512Gb的128层TLC 3D NAND闪存，其中，128层QLC产品为目前业内发布的首款单颗Die容量达1.33Tb的NAND闪存，容量、性能均优于主要竞争对手，并且两款产品均已获得主流控制器厂商验证。预计将在今年底至明年初开始量产。
自今年以来，长江存储消息不断，自宣布成功研发128层闪存产品之后，表示预计将在三季度推出自有品牌的SSD，二期厂房建设项目也已经开始动工，规划产能20万片/月。
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